Número de Producto del Fabricante:
TSM110NB04LCV RGG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM110NB04LCV RGG-DG
Descripción:
40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 9A (Ta), 44A (Tc) 1.9W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
Inventario:
9996 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991710
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ENVIAR
TSM110NB04LCV RGG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta), 44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1329 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (3.15x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
TSM110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
1801-TSM110NB04LCVRGGCT
1801-TSM110NB04LCVRGGTR
1801-TSM110NB04LCVRGGDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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